Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
SF16 | 11200 | 2.23 руб. | |
Параметр |
Значение |
---|---|
Diode Type | Standard |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 16A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 150V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
Корпус | TO-220AB |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Тип монтажа | Выводной |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
HY62SF16406E Маломощная SRAM (4 Мб) 256K x16 bit 1.65 ~ 2.3V Super Low Power FCMOS Slow SRAM Также в этом файле: HY62SF16406E-DFI, HY62SF16406E-I, HY62SF16406E-SFI
Производитель:
|
||
![]() | OP275GP 2 ОУ полев. вход, 9 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 2 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 100 нА, Iвых = 14 мА, Iп = 4 мА, Uп = 9...44 В, -40...+85°C, PDIP8. Купить |
![]() | BAT54C Сборка из двух импульсных малосигнальных диодов Шоттки. Выполнена в корпусе для SMD монтажа.Напряжение &nbsp;Uобр.max (постоянное)&nbsp; 30ВТо... 3.33 руб Купить |
![]() | 2SC2058 Биполярный транзистор Si-N, 40V, 0,05A, 0,25W, 300MHz Купить |