H11AV1M
Фототранзисторный оптронНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| H11AV1M (ONS) | 700 | 43.58 |
Технические характеристики H11AV1M
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Voltage - Isolation | 7500Vpk |
| Current Transfer Ratio (Max) | 300% @ 10mA |
| Корпус (размер) | 6-DIP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип выхода | Transistor with Base |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Current - DC Forward (If) | 60mA |
| Напряжение выходное | 70V |
| Тип входа | DC |
| Количество каналов | 1 |
| Current Transfer Ratio (Min) | 100% @ 10mA |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Transistor with Base |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru