IRG4PC50UD

Версия для печати Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), P=200W@t=25C, P=78W@t=100C, -55 to +150C)

Наименование	Кол-во	Цена
IRG4PC50UD	3	843.60 руб.

Технические характеристики IRG4PC50UD

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 27A
Current - Collector (Ic) (Max)	55A
Power - Max	200W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
1.5KE400CA (HOTTECH)	2397	48.29 руб.
IRF530 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	80	74.84 руб.
КС213Б (СЗТП)	26	49.90 руб.

IRG4PC50UD
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irg4pc50ud.pdf
216.22Kb
10стр.