Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

| 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
Наименование
Описание
Кол-во
Цена
Купить
2N3772
Транзистор S-N 100В 20A TO3 8 208.66 руб. 
2N3773 Транзистор биполярный большой мощности 8 208.66 руб. 
2N3866
Транзистор биполярный большой мощности 2 353.28 руб. 
2N3904 Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C) 16 000 1.52 руб. (от 100 шт.  0.76 руб.)
2N3906 Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт 23 200 1.96 руб. (от 100 шт.  0.98 руб.)
2N3906BU
2 338 17.09 руб. 
2N4401BU
NPN 40V 0,6A 0,625W 408 29.76 руб. 
2N4401TA
3 044 12.30 руб. 
2N4403 Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт) 13 800 2.72 руб. 
2N4403BU Транзистор PNP (40В, 0.6A, 0.35Вт) 46 660 3.70 руб. 
2N5061
80 Заказ радиодеталей
2N5088 Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц 1 600 Заказ радиодеталей
2N5207 121 2 719.50 руб. 
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) 8 730 8.22 руб. 
2N5401YBU
618 21.19 руб. 
2N5415
PNP 200V, 1A, 10W,  15MHz 50 75.38 руб. 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) 5 600 1.46 руб. 
2N5551TA
382 15.09 руб. 
2N6075AG
171 33.79 руб. 
2N6075BG
106 39.29 руб. 
2N6107
Транзистор S-P 70В 7A TO220 8 52.16 руб. 
2N6397G
123 41.19 руб. 
2N6488G
195 63.78 руб. 
2N6509G
Тиристор 98 226.93 руб. 
2N7000 Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт) 2 060 12.79 руб. 
2N7000TA Advanced small signal mosfet 1 697 13.99 руб. 
2N7002 Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт 81 135 4.66 руб. 
2N7002,215 Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт 94 986 4.60 руб. 
2N7002-TP Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт 7 015 2.09 руб. 
2N7002BK,215 852 9.50 руб. 
2N7002BKS,115 2 001 14.50 руб. 
2N7002BKV,115 733 17.50 руб. 
2N7002BKW,115
7 554 10.80 руб. 
2N7002CK,215 6 510 15.79 руб. 
2N7002DW Dual n-channel enhancement mode field effect transistor 9 600 2.74 руб. 
2N7002DW-7-F
5 925 8.70 руб. 
2N7002E Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C) 2 174 17.76 руб. 
2N7002E-7-F 659 8.10 руб. 
2N7002E-T1-GE3
214 22.39 руб. 
2N7002ET1G
21 600 2.15 руб. 
2N7002K N-channel enhancement mode field effect transistor 21 234 2.80 руб. 
2N7002K-T1-GE3
15 039 10.00 руб. 
2N7002KT1G
7 962 7.30 руб. 
2N7002LT1G
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds) 7 200 4.29 руб. 
2N7002P,215 14 400 5.80 руб. 
2N7002PS,115 3 810 13.80 руб. 
2N7002PW,115
4 938 8.80 руб. 
2N7002W N-channel enhancement mode field effect transistor 20 201 4.75 руб. 
2N7002W-7-F
26 616 4.20 руб. 
2N7002WT1G
17 793 7.00 руб. 
 
 
 
 
 
| 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |