Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SK2917

Версия для печати N-MOS 500V, 18A, 90W

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SK2917 (TOSHIBA) 5 1 640.16 руб. 

Технические характеристики 2SK2917

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 18A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3720pF @ 10V
Power - Max 90W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) 2-16F1B
Корпус TO-3P(N)IS
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SK2717 (TOSHIBA) 40 220.32 руб. 
IRF740 4320 32.57 руб. 
2SK2917
Полевые МОП транзисторы

N Channel Mos Type (high Speed, High Current Switching, Chopper Regulator, Dc-dc Converterand and Motor Drive Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sk2917.pdf
299.9Kb
5стр.