Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SGW25N120

Версия для печати Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)

Технические характеристики SGW25N120

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 25A
Current - Collector (Ic) (Max) 46A
Power - Max 313W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус PG-TO247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
L7809CV (ST MICROELECTRONICS) 6880 53.31 руб. 
TDA2003 (ST MICROELECTRONICS) 1958 63.00 руб. 
КТ646А 279 39.74 руб. 
КТ818Г (БРЯНСК) 3702 100.80 руб. 
SGW25N120
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Fast IGBT In Npt-technology

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

sgw25n120.pdf
384.78Kb
11стр.