Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI2302CDS-T1-GE3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI2302CDS-T1-GE3 (VISHAY) 2402 10.40 руб. 

Описание SI2302CDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Технические характеристики SI2302CDS-T1-GE3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Power - Max 710mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
КД205Б 400 54.43 руб. 
КД212А (ФОТОН) 1951 25.20 руб. 
КТ815Б (БРЯНСК) 2303 45.36 руб. 
КТ816Г (БРЯНСК) 5562 45.36 руб. 


si2302cd.pdf