КП508А

Версия для печати Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала, эпитаксиально-планарные , оснащены встроенным обратновключенным защитным диодом.

Наименование	Кол-во	Цена
КП508А (МИНСК)	1795	38.40 руб.

Описание КП508А

КП508А - Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала, изготавлены по эпитаксиально-планарной технологии. Приборы оснащены встроенным обратновключенным защитным диодом.
Транзисторы КП508А предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с импульсным управлением, в приводах маломощных электродвигателей, средствах связи и другой радиоэлектронной промышленной аппаратуре.
Основные характеристики КП508А (+25°C):
Максимальное напряжение сток-исток 240V
Максимальное напряжение исток-затвор ±20V
Максимальный ток стока (постоянный) 150mA
Максимальный ток стока (импульсный) 600mA
Максимальная рассеиваемая мощность1W
Ток утечки затвора < 0,1µA
Пороговое напряжение на затворе -0,8..-2,0V
Сопротивление сток-исток (откр.)< 20 om
Крутизна характристики 60mA/V
Время задержки включения 12 nS
Время задержки выключения 33 nS
АналогBSS92
Диапазон рабочих температур -55..+150°С

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
КП307Б1	800	36.72 руб.
КП501Б (МИНСК)	1644	33.60 руб.
КП504А (МИНСК)	6006	40.80 руб.
КП505А (МИНСК)	8075	40.80 руб.

Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и обогащением канала, эпитаксиально-планарные , оснащены встроенным обратновключенным защитным диодом.

kp508a.pdf
96,52kB
1стр.