Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

TL431BCDR2G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
TL431BCDR2G 40 37.74 руб. 

Технические характеристики TL431BCDR2G

Параметр
Значение
Корпус 8-SOICN
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа Поверхностный
Рабочая температура 0°C ~ 70°C
Ток выходной 100mA
Ток катод 1mA
Количество каналов 1
Допустимые отклонения емкости ±0.4%
Напряжение выходное 2.495 V ~ 36 V
Reference Type Shunt, Programmable, Precision
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Tolerance ±0.4%
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
TL431
Источники опорного напряжения

Programmable Precision References

Также в этом файле: TL431BCDR2G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

tl431.pdf
176.22Kb
18стр.
IRG4PC40UD
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C)
653.40 руб Купить
HIH-4602-L
Датчик влажности, 0..100% RH, точность +2%, напряжение питания 4..5.8 В DC, -40..+85°С
Купить
YSR22-22 ON-ON 3/6A

Купить