Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2N7002W

Версия для печати N-channel enhancement mode field effect transistor

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N7002W (DIOTEC) 20201 5.15 руб. 

Технические характеристики 2N7002W

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 115mA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 50pF @ 25V
Power - Max 200mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-70, SOT-323
Корпус SC-70
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
TPS51125RGER 2 Заказ радиодеталей
2N7002W
MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor

2N7002W.pdf
265 Кб