Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2SB649AC (HIT) | 142 | 83.57 руб. | |
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 20 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 160 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 0 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 1.5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 100
Корпус: TO126
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
||
 | РљР•032 Р ВР РЋР Сџ.4 ЧЕРН. Выключатели РїСЂРёРСеняются Р Р† подвижных Р С‘ неподвижных стационарных установках, Р Р† РЎвЂљР С•Р С РЎвЂЎР С‘РЎРѓР В»Р Вµ С…РёРСостойких изделиях Р С‘ кузнечно-Р С—РЎР‚Р ВµРЎРѓРЎРѓР С•Р Р†Р С•Р С Р С•Р В±Р С•РЎР‚РЎС“Р Т‘Р С•Р Р†Р В°Р Р…Р С‘Р С‘ РљРѕРСР Сутир... 1228.80 СЂСѓР± Купить |
 | АЛ145А 11.34 руб Купить |
 | РћРњР¦-20 Осциллограф-Р СультиРСетр (СЃРєРѕРїРСетр) цифровой запоРСинающий 2-канальный 77000.00 СЂСѓР± Купить |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
