Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| AT-42010 | 6 | 8 251.58 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
| Gain | 10dB ~ 13.5dB |
| Power - Max | 600mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 35mA, 8V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 4-SMD (100 mil) |
| Корпус | 100 mil |
|
AT-42010 Радиочастотные биполярные транзисторы Up To 6 Ghz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
