Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BFG67/X

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
BFG67/X (NXP) 35 48.00 руб. 

Технические характеристики BFG67/X

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V
Frequency - Transition 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Power - Max 380mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-253-4, TO-253AA
Корпус SOT-143B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BFG67/X
Радиочастотные биполярные транзисторы

NPN 8 GHz wideband transistors

Также в этом файле: BFG67/X, BFG67/XR, BFG67/XR

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

bfg67x.pdf
136.9Kb
16стр.