Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BSP220

Версия для печати P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSP220 (NXP) 799 29.41 руб. 

Технические характеристики BSP220

Параметр
Значение
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 200mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 225mA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 90pF @ 25V
Power - Max 1.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус SOT-223
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BSP220
MOSFET

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

Производитель:
NXP

BSP220.pdf
65.2 Кб