Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BSS138W

Версия для печати N-channel enhancement mode field effect transistor

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSS138W 47600 1.88 руб. 

Технические характеристики BSS138W

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 200mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 280mA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 26µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 43pF @ 25V
Power - Max 500mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SOT-323
Корпус PG-SOT323-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BAS16 (YJ) 112000 2.36 руб. 
CC0805CRNPO9BN6R8 (YAGEO) 14400 2.36 руб. 
FDN302P 9200 4.55 руб. 
RC0805FR-0712K4L (YAGEO) 2320 2.36 руб. 
BSS138W
MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

BSS138W.pdf
137.9 Кб