Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
BSS138W | 47600 | 1.88 руб. | |
Параметр |
Значение |
---|---|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | SIPMOS® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 200mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 280mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 26µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 43pF @ 25V |
Power - Max | 500mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | SOT-323 |
Корпус | PG-SOT323-3 |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
BAS16 (YJ) | 112000 | 2.36 руб. | |
CC0805CRNPO9BN6R8 (YAGEO) | 14400 | 2.36 руб. | |
FDN302P | 9200 | 4.55 руб. | |
RC0805FR-0712K4L (YAGEO) | 2320 | 2.36 руб. | |
BSS138W MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Производитель:
|
||