CSD16409Q3
N-channel ciclon nexfet power mosfetsНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| CSD16409Q3 (TEXAS INSTRUMENTS) | 51 | 41.13 |
Технические характеристики CSD16409Q3
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption |
| Серия | NexFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 17A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 800pF @ 12.5V |
| Power - Max | 2.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SON |
| Корпус | 8-SON |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru