Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

DF10

Версия для печати Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +125C), корпус DIP, Rm=5.0mm.

Наименование
Кол-во
Цена
 
DF10 15440 3.61 руб. 

Технические характеристики DF10

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Peak Reverse (Max) 1000V
Current - DC Forward (If) 1A
Diode Type Single Phase
Скорость Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Корпус 4-DF
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
LM239N (TEXAS INSTRUMENTS) 1 36.00 руб. 
АЛ307БМ 1866 49.14 руб. 
АЛ307КМ (ОРЕЛ) 9520 12.00 руб. 
КТ361Б 9600 4.08 руб. 
KM416S1120D
SDR SDRAM (16 Мб)

512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL

Также в этом файле: KM416S1120DF10

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

km416s1120d.pdf
1.1Mb
43стр.