Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
FDV301N | 12000 | 4.81 руб. | |
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 220mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.06V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
Power - Max | 350mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
2РМ14КПН4Ш1В1 | 33 | 2 323.20 руб. | |
BSS138 | 79680 | 1.38 руб. | |
GRM188R61A226ME15D (MURATA) | 41600 | 1.18 руб. | |
TIP127 | 1600 | 22.03 руб. | |
FDV301N Мощные полевые МОП транзисторы Digital Fet, N-channel
Производитель:
|
||