Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

HUF75329D3ST

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
HUF75329D3ST (ONS) 472 39.38 руб. 

Технические характеристики HUF75329D3ST

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия UltraFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 20A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 65nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1060pF @ 25V
Power - Max 128W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
HUF75329D3
N-канальные транзисторные модули

20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

Также в этом файле: HUF75329D3ST

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

huf75329d3.pdf
223.54Kb
10стр.