IRF1010E

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт

Наименование	Кол-во	Цена
IRF1010E (INTERNATIONAL RECTIFIER)	5	214.20 руб.

Описание IRF1010E

Транзистор полевой N-канальный MOSFET
Напряжение сток / исток 60В
Ток стока 84A
Сопроивление статичесткое ключ / сток 12мОм@50A
Мощность рассеиваемая 200Вт
Температура перехода до 175^оС
Время вкл /выкл. 12нс / 53нс

Технические характеристики IRF1010E

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Корпус	TO-262
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	200W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	130nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	84A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 50A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
RFP50N06 (FAIRCHILD)	26	201.96 руб.

IRF1010ES
N-канальные транзисторные модули

Power MOSFET (Vdss=60V, Rds (on) =12mohm, Id=84AРЃРЅ)

Также в этом файле: IRF1010EL

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf1010es.pdf
124.88Kb
10стр.