Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF1404Z

Версия для печати Hexfet power mosfets discrete n-channel

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF1404Z 1800 50.88 руб. 

Технические характеристики IRF1404Z

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 75A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4340pF @ 25V
Power - Max 220W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
К561ЛН2 (ИНТЕГРАЛ) 656 259.78 руб. 
К561ТМ2 800 55.08 руб. 
IRF1404Z
MOSFET

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF1404Z.pdf
307.4 Кб