Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF510PBF | 78 | 175.38 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Power - Max | 43W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| LM317P (ST MICROELECTRONICS) | 222 | 129.96 руб. | |
| LM317T (ST MICROELECTRONICS) | 6971 | 42.69 руб. | |
| PCA9306DCTR (TEXAS) | 4592 | 36.89 руб. | |
| К155ИД10 (МИНСК) | 248 | 75.60 руб. | |
| КС 170А | 360 | 40.32 руб. | |
|
IRF510PBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
