Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF620PBF

Версия для печати Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.8 Ом, Id(25°C) = 5.2 A корпус TO-220AB.

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF620PBF (VISHAY) 136 67.31 руб. 

Технические характеристики IRF620PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 3.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.2A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 260pF @ 25V
Power - Max 50W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N4403 13920 2.65 руб. 
IRF620PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF620PBF.pdf
886.3 Кб