IRF7103TRPBF

Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)

Наименование
Кол-во
Цена
IRF7103TRPBF 712 31.19

Технические характеристики IRF7103TRPBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 290pF @ 25V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru