Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF740AS

Версия для печати N-канальный 400В 10А

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF740AS 1120 63.05 руб. 

Технические характеристики IRF740AS

Параметр
Значение
Корпус D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 10A
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 6A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа Поверхностный
Power - Max 3.1W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1030pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
CI160808-18NJ (BOURNS) 1 14.88 руб. 
CI160808-1N8D (BOURNS) 38 24.05 руб. 
LQW18AN27NG00D (MURATA) 3990 7.90 руб. 
LQW18AN2N2D00D (MURATA) 2840 16.85 руб. 
LQW18AN6N2C00D (MURATA) 2080 19.10 руб. 
IRF740AS
Дискретные сигналы

400V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package

Также в этом файле: IRF740ASTRR

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf740as.pdf
135.9Kb
10стр.