IRF820

Версия для печати Транзистор полевой N-Канальный 500В, 4A , 80Вт

Наименование	Кол-во	Цена
IRF820 (VISHAY)	40	140.76 руб.
IRF820PBF (VISHAY)	720	108.23 руб.

Описание IRF820

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF830:
Максимальный ток стока 4А
Максимальное напряжение сток-исток 500В
Сопротивление сток-исток (откр.) <0.3 Ом
Максимальная мощность рассеивания 80Вт
Допустимое напряжение на затворе +/-30В
Время включения/выключения 13/15нс (тип.)
Диапазон рабочих температур - 55 ...+150^oC

Технические характеристики IRF820

Параметр	Значение
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	360pF @ 25V
Power - Max	50W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB
Серия	PowerMESH™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для IRF820

Наименование	Кол-во	Цена
КП780А (ИНТЕГРАЛ)	40	134.64 руб.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
L7805ABD2T-TR (ST MICROELECTRONICS)	1200	30.21 руб.
ULN2003AD	164	31.68 руб.
ULN2003AN	2000	25.91 руб.

IRF820

N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2A - TO-220 PowerMESH] MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

irf820.pdf
94.82Kb
8стр.