IRF830

N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А

Наименование
Кол-во
Цена
IRF830 1600 32.24
IRF830PBF 808 55.14

Описание IRF830

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF830:
Максимальный ток стока 4.5А
Максимальное напряжение сток-исток    500В
Сопротивление сток-исток (откр.) <   1.5 Ом
Максимальная мощность рассеивания   100Вт
Допустимое напряжение на затворе    +-20В
Пороговое напряжение на затворе         +2..+4В
Ток утечки затвора <     0.1 мкА
Ток утечки стока (закр.) <  25 мкА
Время включения/выключения 8/42нс (тип.)
Диапазон рабочих температур - 55...+150oC
Аналоги КП753А,2SK2661

Технические характеристики IRF830

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 610pF @ 25V
Power - Max 74W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
Серия PowerMESH™

Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru