Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF8910TRPBF

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF8910TRPBF 1520 86.52 руб. 

Технические характеристики IRF8910TRPBF

Параметр
Значение
Vgs(th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 10A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4 mOhm @ 10A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 960pF @ 10V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.