Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFB9N60A

Версия для печати Транзистор полевой

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFB9N60A 166 211.20 руб. 

Технические характеристики IRFB9N60A

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 9.2A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 49nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1400pF @ 25V
Power - Max 170W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
TL494CDR 2014 17.22 руб. 
TL494CN (MOTOROLA) 80 61.20 руб. 
TL494CN (TEXAS INSTRUMENTS) 80 61.20 руб. 
IRFB9N60A
N-канальные транзисторные модули

Power MOSFET (Vdss=600V, Rds (on) =0.75ohm, Id=9.2A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfb9n60a.pdf
137.23Kb
8стр.