Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFBC20PBF

Версия для печати Hexfet® power mosfet

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFBC20PBF (VISHAY) 480 117.66 руб. 

Технические характеристики IRFBC20PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 350pF @ 25V
Power - Max 50W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
UF4002 (ONS) 142 17.60 руб. 
IRFBC20PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBC20PBF.pdf
2 Мб