Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFBC30

Версия для печати Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFBC30 2 116.16 руб. 

Технические характеристики IRFBC30

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 660pF @ 25V
Power - Max 74W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
PC817 4 23.23 руб. 
SMBJ5.0A (YJ) 30400 8.27 руб. 
КД226Д (САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО) 400 30.60 руб. 
IRFBC30

N - Channel Powermesh Mosfet

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

irfbc30.pdf
87.84Kb
8стр.