Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFP054N

Версия для печати Транзистор полевой N-MOS 55V, 81A, 170W

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFP054N 360 119.95 руб. 

Технические характеристики IRFP054N

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 43A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 81A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2900pF @ 25V
Power - Max 170W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFP064N 1051 131.34 руб. 
QSS960-T-4C (QUICK) 368 342.43 руб. 
TL431ACD (TEXAS INSTRUMENTS) 800 24.48 руб. 
IRFP054N
N-канальные транзисторные модули

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfp054n.pdf
110.98Kb
8стр.