Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFP27N60KPBF

Версия для печати N-канальный полевой транзистор (Vds=600V, Id=27, Rds=0.18 R, P=500W, -55 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFP27N60KPBF 236 356.54 руб. 

Технические характеристики IRFP27N60KPBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 27A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4660pF @ 25V
Power - Max 500W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC817-40 78044 1.30 руб. 
DXI40N-A 0.5W 50OHM 12800 55.70 руб. 
IRFP27N60KPBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFP27N60KPBF.pdf
615.1 Кб