Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFPE50

Версия для печати N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, P=190W, -55 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFPE50 292 191.06 руб. 

Технические характеристики IRFPE50

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 4.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 7.8A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3100pF @ 25V
Power - Max 190W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC847B (HOTTECH) 11200 1.18 руб. 
BC857B 46800 1.01 руб. 
LL4148 (HOTTECH) 1040000 1.18 руб. 
UC3842AN (ON SEMICONDUCTOR) 266 79.56 руб. 
IRFPE50
N-канальные транзисторные модули

Power Mosfet (vdss=800v, Rds (on) =1.2ohm, Id=7.8a)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfpe50.pdf
177.2Kb
6стр.