Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRL2203N

Версия для печати Транзистор полевой

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRL2203N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 40 214.20 руб. 

Технические характеристики IRL2203N

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 60A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 116A
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 60nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3290pF @ 25V
Power - Max 180W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SK2761 (FUJI ELECTRIC) 5 306.00 руб. 
IRL2203NL
N-канальные транзисторные модули

Power MOSFET (Vdss=30V, Rds (on) =7.0mohm, Id=116AРЃРЅ)

Также в этом файле: IRL2203NS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irl2203nl.pdf
133.04Kb
10стр.