IRLR2905

Версия для печати N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, P=110W, -55 to +175C), логический уровень переключения.

Наименование	Кол-во	Цена
IRLR2905	3392	25.26 руб.

Описание IRLR2905

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с логическим уровнем управления.

Максимальный ток стока 42А
Максимальное напряжение сток-исток 55V
Сопротивление сток-исток (откр.) <0,027 om
Максимальная мощность рассеивания 110W
Допустимое напряжение на затворе +-16V
Пороговое напряжение на затворе +1..+2V
Ток утечки затвора     < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.)     < 25uA
Время включения/выключения     11/26nS
Время восстановления диода     80nS (тип.)
Входная/выходная ёмкость     1700/400pF (тип.)
Корпуc D-pak
Диапазон рабочих температур -55..+175oC

Технические характеристики IRLR2905

Параметр	Значение
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	36A
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
2N7002 (YJ)	88000	2.36 руб.
ADM660AR (ANALOG DEVICES)	8	397.80 руб.
LM311DR (XINBOLE)	9834	19.20 руб.

IRLR2905
N-канальные транзисторные модули

55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irlr2905[1].pdf
135.09Kb
10стр.