Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRLR3103

Версия для печати Транзистор полевой SMD

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLR3103 1880 32.60 руб. 

Технические характеристики IRLR3103

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 33A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 55A
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 50nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1600pF @ 25V
Power - Max 107W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLML6302 (HOTTECH) 62400 7.08 руб. 
IRLML9303TRPBF 16800 11.03 руб. 
MBR0520 (YJ) 6320 2.36 руб. 
IRLR3103
N-канальные транзисторные модули

30V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irlr3103[1].pdf
204.98Kb
10стр.