Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRLZ44

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный 60В 50А logic

Технические характеристики IRLZ44

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 31A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 50A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 66nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3300pF @ 25V
Power - Max 150W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRLZ44A
Полевые МОП транзисторы

Advanced Power Mosfet

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

irlz44a.pdf
455.21Kb
9стр.