MJD200T4


Наименование
Кол-во
Цена
MJD200T4 746 31.68

Технические характеристики MJD200T4

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A, 1V
Power - Max 1.4W
Frequency - Transition 65MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус DPAK-3


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru