Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MJD45H11G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
MJD45H11G (ONSEMI) 172 93.65 руб. 

Технические характеристики MJD45H11G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Power - Max 1.75W
Frequency - Transition 90MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус DPAK-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.