SI1305DL-T1-E3


Наименование
Кол-во
Цена
SI1305DL-T1-E3 4 Заказ радиодеталей

Технические характеристики SI1305DL-T1-E3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 860mA
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Power - Max 290mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-70, SOT-323
Корпус SC-70-3


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru