Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI2302CDS-T1-GE3

Версия для печати

Описание SI2302CDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Технические характеристики SI2302CDS-T1-GE3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Power - Max 710mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
NE556N (ST MICROELECTRONICS) 266 43.09 руб. 
КД510А 3157 13.25 руб. 
КТ827А (БРЯНСК) 67 1 839.60 руб. 


si2302cd.pdf