Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI4840BDY-T1-E3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI4840BDY-T1-E3 (VISHAY) 80 126.00 руб. 

Описание SI4840BDY-T1-E3

MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC

Технические характеристики SI4840BDY-T1-E3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 12.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 19A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2000pF @ 20V
Power - Max 6W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


si4840bd.pdf