Si7232DN-T1-GE3
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| SI7232DN-T1-GE3 (VISHAY) | 5 | 137.67 |
Технические характеристики Si7232DN-T1-GE3
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 25A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 32nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1220pF @ 10V |
| Power - Max | 23W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® 1212-8 |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru