Si7234DP-T1-GE3


Наименование
Кол-во
Цена
SI7234DP-T1-GE3 (VISHAY) 400 504.01

Технические характеристики Si7234DP-T1-GE3

Параметр
Значение
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 24.8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 20A, 4.5V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5000pF @ 6V
Power - Max 3.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) PowerPAK® SO-8
Корпус PowerPAK® SO-8


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru