Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STN1HNK60

Версия для печати N-channel 600v - 8? - 1a sot-223 supermesh™ mosfet

Наименование
Кол-во
Цена
 
STN1HNK60 (ST MICROELECTRONICS) 17178 31.40 руб. 

Технические характеристики STN1HNK60

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия SuperMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 400mA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 156pF @ 25V
Power - Max 3.3W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус SOT-223
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N7002 (YJ) 79200 2.48 руб. 
BAS21 (YJ) 104000 1.24 руб. 
MMBTA06 32600 1.92 руб. 
STP10NK80Z (ST MICROELECTRONICS) 210 446.16 руб. 
STN1HNK60
MOSFET

N-CHANNEL 600V - 8? - 1A SOT-223 SuperMESH™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STD1NK60 - STD1NK60-1, STQ1HNK60R, STN1HNK60.pdf
427 Кб