STP4N150

Транзистор МОП N-канальный 1500V 4A 160W TO-2

Наименование
Кол-во
Цена
STP4N150 (ST MICROELECTRONICS) 120 433.77

Технические характеристики STP4N150

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия PowerMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1500V (1.5kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
Power - Max 160W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru