STP9NK50Z

Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (500V, 7.2A, 110W, 0.85R)

Наименование
Кол-во
Цена
STP9NK50Z (ST MICROELECTRONICS) 118 131.16

Технические характеристики STP9NK50Z

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия SuperMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 7.2A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 910pF @ 25V
Power - Max 110W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru