Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STW12NK80Z

Версия для печати N-MOS 800V, 10.5A, 190W

Наименование
Кол-во
Цена
 
STW12NK80Z (ST MICROELECTRONICS) 31 484.76 руб. 

Технические характеристики STW12NK80Z

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия SuperMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5.25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 10.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2620pF @ 25V
Power - Max 190W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SK2843 (TOSHIBA) 8 204.12 руб. 
STP7NK80ZFP (ST MICROELECTRONICS) 1340 137.66 руб. 
STW10NK60Z (ST MICROELECTRONICS) 178 269.71 руб. 
TCET1103 (VISHAY) 1815 27.69 руб. 
STW12NK80Z
MOSFET

N-channel 800V - 0.65? - 10.5A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STB12NK80Z, STP12NK80Z, STW12NK80Z.pdf
355.9 Кб