Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

Д105-630-26

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
Д105-630-26 4 6 624.00 руб. 

Технические характеристики Д105-630-26

Параметр
Значение
Максимально допустимый средний прямой ток IF(AV) (TC,°C) 630(100)
Интеграл Джоуля i2t 1120
Импульсное прямое напряжение / ток VFM/IFM 1,60/1978
Тепловое сопротивление переход-корпус Rth(j-c) 0,065
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRF510PBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)
61.14 СЂСѓР± РљСѓРїРёС‚СЊ
MDS150-1800V

Купить
STQ1NK60ZR-AP
N-channel 600v - 13? - 0.8a - to-92 zener-protected supermeshв„ў power mosfet
Купить